Posted in企業 技術・工学・物理・数学

Wolfspeed社の破産の原因

Wolfspeed社の破産の原因はいくつかあるようです。 (1)米国CHIPS法の補助金と税金の還付を当てにして創業の地近くNorth Calorina州Chathamに$5B=7200億円の新工場を建てました。 https://www.axios.com/local/raleigh/2025/02/05/wolfspeed-nears-completion-of-siler-city-factory-north-carolina ところが、CHIPS法の条件を満たさなかったため、補助金がもらえず、昨年11月に社長が首になりました。最初は理由なしに袂（たもと）を別（わか）ったような発表ですが、…
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SiCとGaNの比較

SiCはGaNとよく比べられます。バンドギャップはSiCが3.26eV, GaNが3.5eVとシリコンの1.1eVに比べて約3倍です。そのため、ワイドギャップ半導体と呼ばれます。高温で半導体として使えるかどうかは、バンドギャップを超えて熱励起される電子や正孔の数がドーピングで制御される電子や正孔の数よりもずっと少ないという条件で決まります。熱励起の確率はf(ΔE,T)=exp(-ΔE/kT)で、ΔEがバンドギャップに相当します。例えば、T=300℃＝573Kとすると、f(1.1eV,573K)=2×10^-10に対し、f(3.26eV,473K)=2x10^-29です。シリコン半導体デバイスは…
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SiCという物質

SiC（炭化ケイ素）は、半導体材料のSiと炭素の1:1化合物です。粉の場合はカーボランダムという研磨剤ですが、単結晶は写真にあるように、透明な物質です。硬く、化学薬品に非常に強いです。 https://walthy.com/silicon-carbidesic-customization-and-processing/?gad_source=1&gad_campaignid=8289348879&gbraid=0AAAAACk-RAQVxZj3oXb4YYLdLNvzl27uU&gclid=Cj0KCQjw64jDBhDXARIsABkk8J63DGHUc6-clk4t…